当我们赞叹氮化镓（GaN）在电源和射频领域的革命性表现时，一个问题自然而然地浮现：既然GaN如此强大，为何我们电脑和手机里的中央处理器（CPU）仍然是硅基的，而非更快的GaN基？答案在于，数据处理芯片与功率器件对晶体管的要求截然不同，而这些要求恰恰击中了GaN的“阿喀琉斯之踵”。

首先，逻辑电路的核心是构建可以精确控制的“开”和“关”状态。CPU中的数十亿个晶体管必须是“增强型”（normally-off），即默认状态为关闭，只有在施加电压时才导通。然而，天然的GaN晶体管却是“耗尽型”（normally-on），默认就是导通的。虽然可以通过复杂工艺制造出增强型GaN，但这不仅增加了成本，也使得晶体管的结构变得复杂，极不利于后续的微缩。对于需要极致集成度的CPU而言，这是一个根本性的障碍。

其次，CPU的性能飞跃依赖于晶体管的微型化。硅基CMOS工艺已经发展到几纳米的节点，可以在指甲盖大小的芯片上集成百亿级别的晶体管。GaN的制造工艺目前还远未达到这一水平。其材料特性和器件结构决定了它很难像硅一样进行等比例缩小。如果无法将晶体管做得足够小、足够密集，那么用GaN制造CPU就无从谈起，因为其性能优势将被巨大的体积和成本劣势所抵消。

最后，功耗和成本也是关键考量。虽然单个GaN晶体管效率很高，但在CPU这样超大规模的集成电路中，静态功耗和制造成本是决定性因素。硅CMOS工艺在控制静态功耗方面有着无与伦比的优势，并且拥有成熟到极致的产业链，成本极低。GaN要想在成本和功耗控制上与硅竞争，还有很长的路要走。

因此，尽管GaN在未来十年内有望在功率应用中完全取代硅，但在可预见的未来，它仍然难以触及数据处理的核心。CPU的王座，将继续由硅来稳坐，而GaN则将在它擅长的“高能”赛道上，开辟属于自己的帝国。