在人工智能算力快速扩张的带动下，数据中心的供电系统正经历深刻变化。高性能GPU、AI加速器和高密度服务器机柜不断推高功耗水平，传统电源方案在效率、体积、散热及功率密度上的压力持续增加。面对这一趋势，功率半导体技术正成为决定数据中心能效与扩容能力的重要环节。

近日，onsemi推出GaNEXUS氮化镓产品组合，覆盖40V至650V电压范围，重点面向AI数据中心电力传输以及48V中间总线转换器（IBC）等应用。相较于传统硅基功率器件，GaN器件具备更高开关频率、更低导通损耗和更小体积的优势，能够帮助电源系统提升转换效率，并减少磁性元件和散热组件占用的空间。

在AI数据中心中，电力需要从配电环节高效传输至服务器机柜，并进一步转换为处理器、内存及加速卡所需的低压电能。随着48V架构逐渐成为高功率计算平台的重要供电选择，IBC承担着将母线电压转换为负载端适用电压的关键任务。GaNEXUS覆盖的40V至650V范围，使其能够适配从低压板级供电到中高压功率转换的多类场景，为系统设计提供更灵活的器件选择。

对数据中心运营商而言，更高效率意味着更少的能源浪费和散热负担，也有助于降低整体运营成本。尤其是在机架功率持续攀升、液冷部署不断加速的背景下，电源模块能否实现高功率密度与稳定运行，直接影响AI集群的部署速度与规模。

onsemi借助GaNEXUS切入AI数据中心电力链路，反映出氮化镓技术正从消费电子等传统应用，加快进入高性能计算基础设施领域。未来，围绕48V供电、机架级电源和高压直流传输的技术升级，或将成为功率半导体产业竞争的新焦点。