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INN650D190A
发布时间:2025-04-28 14:23:04 点击量:



型号: INN650D190A
INN650D190A 是一款先进的650V额定电压硅基氮化镓(GaN-on-Si)增强型功率晶体管,采用业界标准的紧凑型DFN 8mm x 8mm 表面贴装封装。作为一款增强型器件,它具有常闭型(normally-off)特性,简化了驱动设计并提升了系统安全性。
这款GaN晶体管的核心优势在于其卓越的开关性能。它能够支持极高的开关频率,远超传统硅基MOSFET,这使得设计师可以采用更小的电感和电容,从而显著提升功率密度并缩小产品体积。得益于GaN技术的物理特性,该器件具有零反向恢复电荷(Qrr=0),大幅降低了开关损耗,尤其在硬开关应用中效率优势明显。此外,其低栅极电荷(Qg)和低输出电荷(Qoss)特性进一步减少了驱动损耗和开关时间,有助于实现更高的转换效率。
INN650D190A 经过严格的JEDEC标准工业应用资格认证,并内置ESD保护,确保了在各种应用环境下的可靠性。同时,该产品完全符合RoHS、无铅(Pb-free)及REACH等环保法规要求。
凭借这些优异特性,INN650D190A 广泛适用于需要高效率、高功率密度的电源转换场景,包括DCM/BCM模式的功率因数校正(PFC)、AHB/LLC/QR反激/ACF等拓扑的DC-DC转换器、高效LED驱动、快速充电器、笔记本电脑及一体机(AIO)适配器,以及台式电脑ATX电源、电视电源和电动工具电源等。
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