ST这七款700V PowerGaN HEMT并没有给出一个“统一固定的功耗节省百分比”，因为它和硅MOSFET的对比要看是导通损耗还是开关损耗，还要分工作频率和拓扑。先说导通部分，同规格（相同耐压和相近RDS(on)，比如新品里53mΩ的SGT070R70HTO对标26A/50–60mΩ硅MOSFET）下，GaN的导通电阻本身就略优或持平，导通损耗I²×RDS(on)基本在同一量级，差别很小，真正拉开差距的是开关损耗。

在功耗节省上最突出的是开关损耗和反向恢复损耗。GaN是横向HEMT结构，没有硅MOSFET那种体二极管，所以反向恢复电荷Qrr≈0，在硬开关拓扑（比如PFC、有源钳位反激、图腾柱PFC）里，直接消除了硅器件几十到几百nC的反向恢复功耗，这是传统硅怎么都绕不开的“硬伤”。ST自家MasterGaN系列在Vds=400V、Ids=4A的典型硬开关条件下，总开关损耗Eon+Eoff只有同规格硅MOSFET的10%–30%，相当于开关损耗降低70%–90%；在300W图腾柱PFC实测里，开关损耗大约降30%–50%，整机峰值效率提到99%以上，反向恢复损耗近乎归零。把这七款700V新品代入同样拓扑，硬开关下开关损耗通常也能砍掉60%–90%，高频（100kHz以上）时优势更夸张，因为硅的Qrr随频率线性放大，GaN却始终保持接近零。

放到系统级，低频工频电源可能只提效1%–2%（主要靠去掉反向恢复），但在AI服务器、机器人驱动这些高频、硬开关的中高功率场景，整机效率通常提升2%–4%，部分电机驱动方案整体效率可升4%–10%；同时因可跑更高开关频率（100kHz+），磁件和被动元件缩小，导通加开关的总功耗在同等输出下一般比硅方案低15%–30%，高频设计时甚至减半。简单来说，导通差不多，开关和反向恢复损耗在硬开关里能省掉六七成到九成，系统总功耗视拓扑和频率，通常比同规格硅MOSFET低百分之十几到一半左右。