2026年5月26日，意法半导体宣布扩展STPOWER PowerGaN产品系列，新增七款700V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），明确瞄准AI服务器、机器人、工业系统与智能电网转换器等中高功率场景，这也是GaN宽禁带技术从消费快充向工业级高压电源渗透的关键一步。七款器件均为700V耐压设计，支持高可靠性大功率运行与高频拓扑，连续电流覆盖6A至29A，典型导通电阻介于53mΩ到270mΩ之间，包括SGT350R70GTK（6A/270mΩ，DPAK封装）、SGT070R70HTO（26A/53mΩ，无引脚TO-LL封装），以及SGT080R70ILB等五款采用PowerFLAT 8×8封装的型号（10A–29A，60–180mΩ），TO-LL和PowerFLAT版本均配备开尔文源极连接以分离栅极控制与主功率路径、提升抗噪能力。

这批GaN器件天生具备极低内部电容、低栅极电荷和零反向恢复电荷，导通损耗与开关损耗显著低于同规格硅MOSFET，栅极电荷与导通电阻的乘积优值大幅领先传统硅方案，可直接作为MOSFET替代件或用于全新高频拓扑，让电源工程师在更高开关频率下缩小磁件和无源元件尺寸，做出更紧凑、更低温、功率密度更高的转换模块。这正是AI服务器单机柜冲向兆瓦级、人形机器人关节驱动与工业电源对热管理和体积敏感，以及智能电网分布式能源接入所需双向转换器共同渴求的特质。

ST电力与分立产品子部门执行副总裁Mario Aleo表示，通过新增700V器件将氮化镓优势延伸至中高功率领域，后续还会继续扩展电压等级和功能，巩固面向AI服务器、人形机器人、工业电源及高级消费电源的GaN承诺。七款700V PowerGaN现已量产，可通过ST eStore和授权分销商采购，千片单价0.63–2.25美元，采用业界成熟表面贴装封装并获主流EDA工具链支持，等于在650V GaN与1200V碳化硅之间补出清晰的中间电压带，为下一代高密电源设计提前铺好器件底座。