据路透社2026年5月披露的提案文件，三星电子计划在越南投资约15亿美元（约合39万亿越南盾），于河内以北约60公里的太原省工业园区建设其在越南的首个半导体芯片测试工厂，项目已于今年3月获越南当局批准、4月动工，预计2027年11月正式投产。这座工厂不会追逐HBM或最先进制程，而是专注传统DRAM和NAND闪存的测试环节，年设计产能高达1533亿千兆比特的DRAM和2556亿千兆比特的NAND，主要服务智能手机、笔记本电脑、汽车电子、工业与网通等仍深度依赖成熟存储的终端市场。

驱动这笔投资的背景十分清晰，AI数据中心对高带宽内存和服务器级DRAM的疯狂抢货，正把全球存储巨头的先进产能几乎全部吸向AI产品线，三星、SK海力士和美光都在把晶圆厂倾斜给HBM与DDR5，结果AI驱动的内存短缺反向蔓延到了传统节点。手机、PC和汽车用的成熟DRAM与NAND反而出现严重挤兑，合约价一路飙升而库存探底，形成高端溢出挤压老品的零和局面。三星把测试产能外迁到越南，既能依托当地现有智能手机与平板组装集群、释放韩国本土后段资源给AI芯片，又能以更低成本和地缘分散策略稳住成熟存储的交付能力。文件还透露，若项目产生利润，三星拟将最高25亿美元再投资于潜在的第二座工厂，显示这是对越南半导体后端的长线押注。

对产业而言，这并非AI缺芯的即时解药，而是存储原厂在中长期把“传统芯片后段产能”升格为战略资产的信号，前端晶圆仍集中在韩美台，但封装测试正随AI浪潮外溢到越南等新节点。到2027年投产时，这座测试厂将成为三星在越南最大的存储器后端基地之一，在AI内存荒持续至2027年的预期下，为消费电子和汽车产业链守住一道不算炫目却至关重要的成熟存储防线。