三星电子在第三代半导体领域的布局正加速从“规划”走向“量产”。据行业消息，三星首条8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工产线已准备就绪，预计最快在2026年第二季度投入运营。与此同时，其碳化硅（SiC）功率半导体业务也计划在今年晚些时候推出样品，形成GaN与SiC“双轮驱动”的功率器件版图。

此次即将投产的GaN产线是三星功率半导体战略的关键一环。与传统的6英寸产线相比，8英寸大晶圆在成本控制和产能规模上更具优势，更符合消费电子市场对性价比的极致追求。三星不仅负责晶圆制造，还实现了GaN外延片的自主生产，构建了除芯片设计外的垂直生态。这意味着客户可以获得从材料到制造的一站式代工服务，加速产品上市周期。

初期，该产线将主要面向手机快充、数据中心电源等中低压应用场景。尽管初期营收规模预计相对有限（低于1000亿韩元），但这是三星切入快速增长的新能源与工业电源市场的必经之路。

在GaN主攻中高频、高效率场景的同时，三星计划在2026年第三季度左右启动碳化硅（SiC）功率半导体的样品量产。首批样品将锁定技术相对成熟的平面型SiC MOSFET，重点瞄准新能源汽车主驱逆变器、工业电机等高压高可靠性领域。

这一“GaN+SiC”的组合拳，让三星具备了覆盖全电压范围功率器件的能力。对于深圳及珠三角的电源与新能源终端厂商而言，这提供了除英飞凌、安森美之外的又一个国际大厂供应链选择，特别是在车规级功率器件的第二供应商验证上多了一个选项。

三星入局GaN/SiC代工，将直接加剧与DB HiTek等本土厂商，以及英飞凌、Wolfspeed等国际巨头的竞争。对于下游客户，特别是消费类电源厂商，8英寸GaN产能的释放有望在中期带来成本的优化。然而，车规级SiC的验证周期较长，其实际产能对2026年市场的直接影响可能有限，更多是长周期的供应链备胎准备。