关于氮化镓（GaN）是否存在体二极管的问题，其答案根植于它与传统硅基功率器件（如MOSFET）在基本结构上的差异。标准的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）由于其横向结构中不存在PN结，因此它没有传统硅MOSFET所固有的寄生体二极管。 这一结构上的根本不同，是氮化镓器件众多优势性能的来源之一。

尽管没有体二极管，氮化镓晶体管依然具备反向导通的能力。 当需要反向续流时，电流并非通过一个固有的二极管，而是通过沟道的自换相（self-commutation）来实现。 简单来说，器件会在特定的电压条件下于第三象限开启，表现出类似二极管的特性来传导电流。 这种独特的反向导通机制，虽然压降可能略高于硅MOSFET的体二极管，但它带来了一个革命性的好处。

氮化镓器件最显著的优势之一便是消除了体二极管的反向恢复损耗（Qrr）。 在传统的硅MOSFET中，体二极管在关断时需要时间来清除少数载流子，这个过程会产生显著的开关损耗，从而限制了工作频率的提升。由于氮化镓没有体二极管，也就不存在反向恢复问题，这极大地降低了开关损耗，使其能够胜任更高频率的应用，并催生了如无桥图腾柱PFC等新型高效电路拓扑。