- 手机:181-4585-5552
- 电话:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 邮箱:alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址:深圳市龙华区民治街道民治社区金华大厦1504
双向氮化镓 (GaN) 单芯片方案革新电源管理
作者:admin 发布时间:2025-06-04 14:09:56 点击量:
在当今电子设备日益小型化、高性能化的趋势下,如何提升电源管理效率、降低系统复杂度和成本,成为了行业关注的焦点。英诺赛科推出的双向氮化镓 (VGaN) 产品,凭借其独特的单芯片双向导通与阻断功能,颠覆了传统的MOSFET解决方案,为电源管理领域带来了革命性的突破。
单芯片替代双MOS 大幅精简设计
传统方案中,实现双向导通与阻断功能往往需要两颗背靠背的MOSFET。而英诺赛科的双向GaN器件,仅凭单颗即可实现同样的功能,这极大地简化了电路设计,减少了元器件的使用数量。以电池管理系统 (BMS) 为例,采用双向GaN后,原本复杂的双MOSFET电路可简化为单芯片方案,不仅降低了物料采购成本,还减少了电路板的占用面积,直接降低了PCB板的成本。同时,简化的电路设计还减少了测试和调试的工作量,缩短了产品研发周期,从整体上降低了系统的开发和生产成本。
宽禁带优势 实现更低损耗与更高效率
氮化镓 (GaN) 材料本身具有宽禁带特性,这使得英诺赛科双向GaN器件拥有比传统硅基器件更出色的电子迁移率。在导通状态下,电流传输速度更快,导通电阻更低,有效降低了导通损耗。这意味着更少的能量转化为热量,从而提升了电源管理的整体效率。此外,更快的开关速度也有助于降低开关损耗,进一步提升效率。
独特设计 保障系统稳定可靠
双向GaN器件具备良好的散热性能,在工作过程中产生的热量更少。这主要得益于其材料特性以及英诺赛科独特的芯片设计和制造工艺。较低的热阻使得热量能够快速散发出去,避免了因芯片过热导致的性能下降和可靠性问题。在高温环境下,双向GaN器件的性能衰减更小,能够保证系统的稳定可靠运行。
助力多领域电源管理升级
英诺赛科双向GaN器件凭借其独特的优势,在众多领域都展现出巨大的应用潜力。例如,在电池管理系统 (BMS) 中,可用于电池充放电控制,提高充放电效率,延长电池寿命。在电动汽车充电桩中,可用于功率转换,实现高效的能量传输。在服务器电源中,可用于提高电源效率,降低能耗。在工业电源中,可用于提高电源的可靠性和稳定性。
引领电源管理技术发展
英诺赛科双向GaN器件的推出,是电源管理领域的一项重大创新。它不仅简化了电路设计,降低了成本,还提高了电源效率和可靠性。随着氮化镓技术的不断发展和成熟,双向GaN器件将在更多领域得到应用,为电子设备的性能提升和能效优化做出更大的贡献。英诺赛科也将继续深耕氮化镓技术,不断推出更具创新性的产品,引领电源管理技术的发展。
推荐产品 MORE+
推荐新闻 MORE+
- GaN器件焊接的关键 英诺赛科推荐的回流焊曲线2025-07-18
- 英诺赛科代理常见问题解析:提货周期、退换货政策与技术支持2025-07-17
- 数据中心服务器电源 GaN vs Si效率对比测试报告2025-07-16
- 英伟达加大在中国的招聘力度,专注于人工智能驱动的汽车2025-07-11
- 台积电证实未来两年内逐步退出氮化镓业务2025-07-10
- 恩智浦计划关闭四座8英寸晶圆厂 并将生产线转向12英寸2025-07-08