热点资讯
联系方式
- 手机：181-4585-5552
- 电话：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 邮箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龙华区民治街道民治社区金华大厦1504
英飞凌采用测量方法进行 GaN 和 SiC 开发
作者：admin 发布时间：2024-08-26 10:22:12 点击量：
英飞凌科技致力于通过实施针对功率半导体和宽带隙 (WBG) 半导体（包括碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)）的测量策略来保持其在功率半导体行业的领先地位。
英飞凌采取了谨慎的方式来发展氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。通过在多个领域投资数十亿欧元，包括收购GaN Systems等，英飞凌致力于在半导体行业取得突破性进展。
该公司在整合硅、碳化硅和氮化镓等三种半导体材料方面积累了专业知识，以确保其开发和推出的新型电源解决方案在AI数据中心和其他领域具有竞争优势。
推荐产品 MORE+
推荐新闻 MORE+
- 二轮车锂电保护板的智能保护功能介绍2025-10-16
- 三轮车锂电保护板的技术参数解析2025-10-14
- 家储保护板如何应对家庭储能系统挑战？2025-10-13
- 锂电池保护板电路设计的基本原理2025-10-11
- 短路保护技术在电摩保护板上的创新应用2025-10-10
- 二轮车锂电保护板的工作机制详解2025-10-09
