三星电子落后于台积电的三大原因如下：

在半导体微缩化方面，台积电在全球处于领先地位。台积电已经成功量产了7纳米和5纳米芯片，并计划在未来实现2纳米芯片的量产。相比之下，三星电子的EUV技术不如台积电成熟，良率也不及台积电，导致三星电子在EUV批量生产方面遇到困难。

ASML是全球唯一一家能够提供尖端光刻设备EUV光刻机的厂家。然而，ASML无法按照计划为三星提供足够的EUV设备。这导致三星电子无法充分利用EUV技术进行半导体微缩化生产，进一步拉大了与台积电的差距。

要熟练使用新设备，需要花费相当长的时间。台积电在使用EUV设备进行量产之前做了大量准备工作，投入了大量晶圆并处理了Bug问题。相比之下，三星电子在使用EUV设备方面的准备工作不足，导致其使用EUV设备的熟练程度不及台积电。

技术差距、设备供给不足以及使用熟练程度不及是导致三星电子落后于台积电的三大原因。