热点资讯
联系方式
- 手机：181-4585-5552
- 电话：0755-82965240
- Q Q：277187808
- 邮箱：alan.liu@szhtt-china.cn
- 地址：深圳市龙华区民治街道民治社区金华大厦1504
国产DRAM内存芯片和三星的技术差距是几年？
作者：admin 发布时间：2024-02-23 09:13:18 点击量：
国产DRAM内存芯片和三星的技术差距大约是5年。
具体来说，三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，而国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算是第二代10nm（1y或者说16/17nm）。
一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。按照正常节奏，国产内存芯片有机会进一步缩短与三星的技术差距。然而，目前一个比较棘手的问题是，三星和SK海力士已经引入了EUV（极紫外光刻）设备用于生产更先进的DRAM芯片，而国产企业暂时还无法获取这一设备。
推荐产品 MORE+
推荐新闻 MORE+
- 英飞凌携手LS Electric合作共同开发面向AI数据中心和下一代电网的直流电2026-10-30
- 恩智浦交出亮眼二季度成绩单收入同比增长19% 但汽车客户补货信号仍未显现2026-10-29
- AI芯片需求收紧产能 加速推动新产线扩张2026-10-28
- ADI宣布2026年9月再次涨价 军用芯片价格上调30%2026-10-27
- 恩智浦瞄准Ambarella加速布局边缘AI视觉芯片在汽车领域的整合2026-10-26
- 美光携手高通和哈曼打造AI车辆平台LTSA2026-10-24
