INS2001W 是一款高性能的 100V 半桥驱动器，专门设计用于高效驱动氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。它提供独立的高端和低端逻辑输入，以及用于精确控制开启/关闭速度的分流输出。 该驱动器具有强大的驱动能力，上拉电阻为 1Ω，下拉电阻为 0.2Ω。 内部集成的智能引导开关（BST）可以在死区时间内有效防止高侧浮动电源 BST 电容过充，从而保护 GaN FET 的栅极，并确保两侧 GaN FET 的栅极电压保持一致。

INS2001W 具备快速的传播延迟（典型值 14ns）和出色的延迟匹配（典型值 1ns），这使得它非常适合高频应用。 它支持高达 100V DC 的高压侧浮动电源操作。 为了确保系统的可靠性，INS2001W 内置了多种保护功能，包括欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）和过温保护（OTP）。 此外，它还具有低至 35μA 的 VCC 静态电流。 INS2001W 采用紧凑的 WLCSP 1.62mmx1.62mm 封装。

这款驱动器广泛应用于各种电力电子领域，包括半桥和全桥转换器、高压同步 DC-DC 转换器以及需要高频率和高功率密度的应用。 它也适用于 48V 直流电机驱动、大功率 D 类音频功率放大器以及汽车领域的 48V/12V 双向 DC-DC 转换器。 INS2001W 解决了传统 MOSFET 驱动方案在驱动 GaN FET 时面临的诸多挑战。 英诺赛科还提供了其他 GaN 驱动器产品，例如单通道驱动器 INS1001DE 和半桥驱动器 INS2001FQ，以丰富氮化镓应用生态。 这些驱动器针对不同电压等级的氮化镓功率器件进行了优化，可为数据中心、汽车电子、太阳能微逆等领域提供高性能解决方案。